Durch Beschuss der Quarzoberfläche mit einem energiereichen ultravioletten Laserstrahl konnten dann Tritiumatome bis zu einer Tiefe von acht Mikrometern in die Quarzschicht eingebaut werden. Etwa 60 Prozent der eingedrungenen Atome gingen dabei zudem chemische Bindungen mit der atomaren Struktur des Glases ein.
Da Tritium mit einer Halbwertszeit von etwa 12,7 Jahren unter Aussendung von schnellen Elektronen zerfällt und dabei Wärme abgibt, könnten derartig dotierte Glasschichten möglicherweise einmal zur Energieversorgung von Mikroprozessoren aus Silizium benutzt werden, so Chen. In einem nächsten Schritt wollen die Forscher nun daran gehen, ihre Methode mit der in der Industrie zur Herstellung von Schaltkreisen eingesetzten Photolithographie zu verbinden. Auf diese Weise können die Tritiumschichten dann mit einer Genauigkeit von wenigen Mikrometern in einem Schaltkreis platziert werden.
