Die Quarzscheibe wird dann in einem letzten Schritt in die Schmelze gedrückt, und deren Erstarren erzeugt so das Positivbild der gewünschten Oberflächenstruktur. Die Forscher haben dieses neue Verfahren auf den Namen “Ladi” (laser-assisted direct imprint) getauft und demonstrieren in ihrer Arbeit die Herstellung von Strukturen mit einer Größe von nur 10 Nanometern. LADI könnte daher die weitere Integration von Milliarden von Transistoren auf Computerchips über Jahre hinaus sichern.
Herkömmliche durch Photolithographie mit ultravioletter Strahlung einer Wellenlänge von 193 Nanometern hergestellte Strukturen weisen eine Detailtreue von 65 Nanometern auf ? knapp unterhalb des Beugungslimits, das die kleinste Auflösung von mittels herkömmlicher Linsenoptik erzeugten Strukturen bestimmt. Eine weitere Verkleinerung von Halbleiterstrukturen mittels extrem-ultravioletter Strahlung (EUV) würde einen immensen Kostenaufwand für die Halbleiterindustrie bedeuten.
Der Einsatz der Ladi-Technik hingegen wäre nicht nur kostengünstig, sondern auch effizient: Das Negativbild der gewünschten Strukturen könnte mittels eines Elektronenstrahls in die Quarzoberfläche geätzt werden. Dieses als Elektronenstrahllithographie bezeichnete Verfahren ist in der Lage, Strukturen mit Abmessungen von nur wenigen Nanometern zu erzeugen ? allerdings ist es auch sehr zeitaufwändig, da der Elektronenstrahl wie der Rasterstrahl einer Fernsehröhre über die Oberfläche der zu bearbeitenden Schicht streichen muss. Ladi hingegen zeichnet sich ebenso wie die Photolithographie durch seine “Parallelität” aus ? eine große Fläche der Wafer kann gleichzeitig mit dem gewünschten Relief versehen werden.
