Die Wissenschaftler ließen allerdings bis jetzt nicht verlauten, welche Tricks diese enorme Verbesserung der Photolithographie erlaubt haben. Die neuen ultrakleinen Transistoren weisen zur Zeit noch Überhitzungsprobleme auf.
Transistoren im Nanometerbereich wurden bisher mittels Elektronenstrahllithographie hergestellt. Bei dieser Technik schreibt ein Elektronenstrahl die gewünschten Leiterstrukturen auf das Siliziumsubstrat. Diese Technik ist allerdings aufgrund der langen Schreibzeiten nicht für die industrielle Massenproduktion geeignet. Dies ist der Vorteil der Photolithographie, bei der die Leiterstrukturen mittels Maske und UV-Belichtung erzeugt werden.
Der Nachteil dieses Verfahrens ist, dass die Wellenlänge des verwendeten Lichtes eine untere Grenze für die Ausmaße der Strukturen bei etwa 125 Nanometer darstellte. Genau diese Grenze haben die Forscher von Intel mit bisher geheim gehaltenen Mitteln überwunden.





