Einem Wissenschaftlerteam des Computerchip-Herstellers Intel ist es gelungen, elektrische Transistoren mit Abmessungen unter 100 Nanometern durch die Verfeinerung herkömmlicher Produktionstechnik herzustellen. Intel hofft nun, das Verfahren bis zum Jahre 2007 zu perfektionieren und dann in der Lage zu sein, einen einzelnen Chip mit bis zu einer Milliarde Transistoren auszustatten.
Das besondere an dem unter Leitung von Robert Chau entwickelten Verfahren ist, dass es auf herkömmlicher Photolithographie beruht. Während mittels Photolithographie hergestellte Transistoren bis dato jedoch in ihren Abmessungen auf etwa 125 Nanometer beschränkt waren, erlaubt das neue Herstellungsverfahren bis zu 20 Nanometer kleine Transistoren. Auch die industrielle Massenproduktion von Computerchips basiert auf Photolithographie, und so hofft das Intel-Team auf eine rasche Anwendung der neuen Technik.
Die Wissenschaftler ließen allerdings bis jetzt nicht verlauten, welche Tricks diese enorme Verbesserung der Photolithographie erlaubt haben. Die neuen ultrakleinen Transistoren weisen zur Zeit noch Überhitzungsprobleme auf.
Transistoren im Nanometerbereich wurden bisher mittels Elektronenstrahllithographie hergestellt. Bei dieser Technik schreibt ein Elektronenstrahl die gewünschten Leiterstrukturen auf das Siliziumsubstrat. Diese Technik ist allerdings aufgrund der langen Schreibzeiten nicht für die industrielle Massenproduktion geeignet. Dies ist der Vorteil der Photolithographie, bei der die Leiterstrukturen mittels Maske und UV-Belichtung erzeugt werden.
Der Nachteil dieses Verfahrens ist, dass die Wellenlänge des verwendeten Lichtes eine untere Grenze für die Ausmaße der Strukturen bei etwa 125 Nanometer darstellte. Genau diese Grenze haben die Forscher von Intel mit bisher geheim gehaltenen Mitteln überwunden.
Stefan Maier
