Im Wettlauf um immer kleinere Chipstrukturen hat der Computerchip-Hersteller Intel einen neuen Miniaturrekord aufgestellt. Nur noch 90 Nanometer (Millardstel Meter) messen die Strukturen auf einem neuen SRAM-Speicher (Static Random Access Memory). Damit passen sechs Transistoren auf eine Speicherzelle, die nur noch die Fläche eines Quadratmikrometers abdeckt. Diese 90 Nanometer-Technologie könnte bereits im kommenden Jahr in Serienproduktion gehen.
Mit dieser SRAM-Zelle konnten wir eine neue Marke für die Speicherdichte der Silizium-Technologie setzen, sagt Sunlin Chou, Vizepräsident und Entwicklungsleiter von Intel in Santa Clara. Mit diesen neuen Strukturen gelang die Herstellung eines gut 100 Quadratmillimeter kleinen Chip-Prototypen, der rund 330 Millionen Transistoren umfasst und eine Speicherkapazität von 52 MBit hat. Die nun vorgestellten Muster mit 90-nm-Strukturen ätzte Intel in seiner Fabrik in Hillsboro/Oregon mit 193- und 248-nm-Lithografiesystemen auf Silizium-Rohlinge von 30 Zentimeter Durchmesser.
SRAM-Zellen übernehmen in Prozessoren die Aufgabe von Pufferspeichern (Caches) und haben damit einen wesentlichen Einfluss auf die Gesamtrechenleistung. Erst vor wenigen Wochen hatte Intel die Serienproduktion von Prozessoren mit 130 Nanometer Strukturen auf 300 Millimeter Wafer gemeldet. Bleibt dieses Entwicklungstempo konstant, dauert es nur noch wenige Jahre, bis die physikalische Grenze der Miniaturisierung in der Silizium-Technologie erreicht sein wird. Neue Verfahren abseits der klassischen Lithographie könnte dann die Nanotechnologie liefern.
Jan Oliver Löfken
