Die höhere Leitfähigkeit von Silizimkarbid würde somit die Effizienz von Haushaltselektronik und Computern verbessern, da Chips aus diesem Material weniger Wärme erzeugen. Kazumasa Takatori und seine Kollegen sind diesem Ziel nun einen großen Schritt näher gekommen. Durch eine neue Kristallwachstumsmethode ist es den Forschern gelungen, bis zu sieben Zentimeter große Kristalle der Verbindung mit nur wenigen Kristallbaufehlern herzustellen. Dabei trifft ein heißer Dampf von Siliziumkarbid auf den wachsenden Kristall auf, wobei der Wachstumsvorgang nur für dessen reinste Seite zugelassen wird.
Führende Forscher auf dem Gebiet der Hochleistungselektronik sind von der neuen Arbeit begeistert. Die japanischen Forscher wollen nun versuchen, ihre Methode einfacher und zudem billiger zu gestalten.
