Eine bisher unbekannte Kristallschicht in magnetischen Materialien könnte zu leistungsfähigeren Computerspeichern führen. US-Physiker vom Stanford Synchrotron Radiation Laboratory in Kalifornien entdeckten diese nur wenige Atomlagen dünne Schicht in der Grenzschicht zwischen Kobalt und Nickeloxid. Diese Substanzen dienen zum Bau magnetischer Datenspeicher, ohne dass das physikalische Verhalten bisher im Detail geklärt werden konnte.
Mit dieser Entdeckung wird sich die Verlässlichkeit, die Kontrolle und die Anpassungsfähigkeit magnetischer Bauelemente verbessern lassen, sagt Yves Idzerda von der Montana State University in Bozemann. Mit einer Kombination verschiedener Röntgenmethoden und bildgebender Verfahren beobachteten die Stanforder Forscher, wie sich zwischen einer Kobalt- und einer Nickeloxidschicht eine dünne Lage aus Nickelkobaltoxid ausbilden konnte. Nach dieser Reaktion blieben einige freie Nickelatome übrig, die das magnetische Feld wesentlich beeinflussen könnten, schreiben die Wissenschaftler in der Fachzeitschrift “Physical Review Letters” (Vol. 87, Artikel 247201, 10.12.2001). Sie vermuten, dass darin der Grund liege, weshalb in solchen Materialien die magnetische Ausrichtung der einzelnen Atome quasi eingefroren werden könne.
Die Physiker um Hendrik Ohldag vermuten nun, dass mit ihrer Methode die Grenzschichten anderer Materialien besser auf neue dünne Kristallschichten untersucht werden könnten. Diese Erkenntnisse könnten nicht nur zu kleineren, leistungsfähigeren Speichern, sondern auch zu schnelleren Transistoren und Energie sparenden Leuchtdioden führen.
Jan Oliver Löfken
