Sie beschichteten den hochreinen Wafer vorher mit einer nur ein Molekül dicken Schicht aus Benzol. Die Mikroskopspitze “ritzt” nun selektiv ganze Strukturstreifen in diese Benzolschicht. In die bis zu zwei Nanometer feinen Lücken setzen die Forscher dann chemisch aktive Substanzen wie Ethylen oder Vinyl-Ferrocen. An diesen Stellen konnten sie so gezielt eine Verbindung aus Silizium und Kohlenstoff ? Siliziumcarbid ? entstehen lassen. Der Rest des Benzol wird darauf einfach abgedampft und übrig bleibt eine nanostrukturierte Silizium-Oberfläche.
Von einer Serienherstellung nutzbarer Computerchips ist dieses Laborverfahren allerdings nach Jahre entfernt. Dennoch könnte das Prinzip aus einer Kopplung von chemisch aktiven Substanzen und nanometerfeinen Mikroskopspitzen einen möglichen Weg für ein Produktionsverfahren der Zukunft aufweisen.
Aktuell arbeiten Intel, IBM und Co. an der weiteren Verbesserung optischer Lithografie und Ätzverfahren. Wird zur Zeit Laserlicht mit 248 Nanometern Wellenlänge genutzt, stehen die Entwickler mit 193- oder 157-Nanometer-Licht schon in den Startlöchern. Bis zu 70 Nanometer feine Strukturen werden sich damit in die Silizium-Rohlinge ätzen lassen.
Bis in das kommende Jahrzehnt könnte extrem ultraviolettes Licht, so genanntes EUV-Licht, das sichtbare Laserlicht verdrängen. Mit einer Wellenlänge um 13 Nanometer sollen mit der EUV-Lithografie Strukturen bis zu 30 Nanometern möglich werden. Erst dann werden heute noch exotische Verfahren wie das kanadische mit der Mikroskopspitze ihre Leistungsfähigkeit für einen schnellen Herstellungsprozess unter Beweis stellen müssen.
